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情報掲載期間:2019年6月30日~2019年7月18日

情報提供元:求人のワークゲート

京セラ株式会社

正社員

半導体開発

仕事内容

パワーデバイス製品の新規ダイオードの開発を担当頂きます。
新たなデバイス構造を実現するために必要となる最先端の技術情報をもとに技術連携先等と協働で構想設計から試作評価まで一貫して担当頂きます。ご経験に応じて入社半年後を目安に担当製品を決め専任として担当頂きます。
ダイオードは、約10年サイクルで製品の改良が進めれておりますが、素材をシリコンウェハーから変えた次世代半導体(ワイドギャップ半導体、化合物半導体)等の開発も進めております。
将来的には、研究開発業務を含め幅広いキャリア形成が可能です。

主に電力変換回路に使用されるパワーデバイスは地球温暖化や震災以降の省エネ化の流れを受け、スイッチングデバイスの低損失化の要求と低コスト化が求められており、その設計難易度が高くなってきています。産機・車載・サーバ向けインバータ素子として魅力あるパワーデバイス半導体の新製品開発で貢献していただきます。

【採用背景】
我々の開発部では事業の柱となりうる新製品開発を実施しておりますが、事業拡大に寄与する新製品開発の推進を図るため、主にパワー半導体の中でもスイッチングデバイス開発部門を強化するための人材募集です。現在我々の事業部ではパワーダイオードが主力製品ですが、今後はより成長性の期待できるスイッチングデバイスのパワー半導体分野の製品力を強化するため、スイッチングデバイス開発を本格的にスタートさせて市場参入・売上拡大を図りたいと考えており、これを担当する人材が必要です。またデバイス開発だけでなく、製品化も見据えた設計業務にも携わっていただきたいと思っております。

【採用部門からのメッセージ】
パワーデバイス事業を取り巻く社会情勢は日々変化しています。既存のデバイスの応用をメインとした開発だけでなく、、新たな視点、新たな側面から取り組むべき開発案件が多数存在します。新規デバイスの設計・創出には相当の労力を必要としますが、非常に遣りがいのある仕事であると思います。我々と一緒に、パワーデバイス事業の売上拡大に貢献できる新規デバイス開発に携わっていただける方のご応募を是非お待ちしております。

この求人のポイント

次世代デバイス開発業務

募集要項

雇用形態 正社員
応募資格 【いずれか必須】
○次世代パワー半導体(IGBT/MOSFET/HEMT/ワイドバンドギャップ半導体等)の研究もしくは開発経験
給与 月給: 21万3000円 ~
勤務地詳細 茨城県つくば市
勤務時間 8:45~17:15 ※実働7時間45分
休日 -
福利厚生 -
会社からの
メッセージ
-

会社について

京セラ株式会社

事業内容 ファインセラミック部品、半導体関連部品、電子部品、切削工具、太陽光発電システム、宝飾品、セラミックキッチン・日用品、通信機器の製造・販売。
上場分類 非公開
従業員数 -

京セラ株式会社

半導体開発

正社員
  • 茨城県
  • 月給: 21万3000円 ~
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